FQP12N60
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Fairchild Semiconductor FQP12N60
| Artikelnummer: | FQP12N60 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 222+ | $1.35 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Fairchild Semiconductor FQP12N60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQP12N60.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 5.3A, 10V Verlustleistung (max) 180W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.5A (Tc) FQP12N60 Einzelheiten PDF [English] FQP12N60 PDF - EN.pdf -
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